Caracter?sticas Principales

• Transistor NPN de potencia RF
• Frecuencia de operaci?n: 470 MHz
• Ganancia: 6.2 dB
• Potencia de salida: 25 Watt
• Tecnolog?a de silicio avanzada

Ratings M?ximos

• Voltage Colector-Emisor (VCEO): 16 Vdc
• Voltage Colector-Base (VCBO): 36 Vdc
• Voltage Emisor-Base (VEBO): 4.0 Vdc
• Corriente Colector (IC): 4.0 Adc
• Disipaci?n total (TC = 25?C): 103 Watts
• Derating: 0.59 W/?C sobre 25?C
• Rango temperatura almacenamiento: -65 a +150 ?C

Caracter?sticas T?rmicas

• Resistencia t?rmica (Juntura a Carcaza): 1.7 ?C/W

Caracter?sticas El?ctricas (TC = 25?C)

Caracter?sticas OFF

• Voltage ruptura Colector-Emisor: 16 Vdc (IC = 20 mAdc, IB = 0)
• Voltage ruptura Colector-Base: 36 Vdc (IC = 20 mAdc, VBE = 0)
• Voltage ruptura Emisor-Base: 4.0 Vdc (IE = 5.0 mAdc, IC = 0)
• Corriente fuga Colector: ?5.0 mAdc (VCE = 15 Vdc, VBE = 0)

Caracter?sticas ON

• DC Current Gain (hFE): 40-100 (IC = 4.0 Adc, VCE = 5.0 Vdc)

Caracter?sticas Din?micas

• Capacitancia de salida (Cob): 60-85 pF (VCB = 12.5 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)

Pruebas Funcionales

• Amplificador com?n emisor: Ganancia de potencia 6.2-7.0 dB
• Voltage de alimentaci?n: 12.5 Vdc
• Potencia de entrada: 5.0-6.0 Watts
• Eficiencia del colector: 55-60%
• Impedancia entrada: 1.2 + j3.3 Ohms
• Impedancia salida: 1.9 + j2.1 Ohms

Diagramas y Gr?ficas

• Potencia de salida vs Potencia de entrada
• Potencia de salida vs Frecuencia
• Potencia de salida vs Voltaje de alimentaci?n
• Perfil de saturaci?n de potencia
• Impedancia entrada/salida equivalente en serie

Dimensiones del Paquete

C?digo: CASE 316-01, STYLE 1

• Dimensiones: 24.38-25.14 mm (A) x 12.45-12.95 mm (B) x 5.97-7.62 mm (C)
• Conexiones: 1.Emisor, 2.Colector, 3.Emisor, 4.Base

Aplicaciones