Transistor de Silicio NPN, 30-500 MHz, 28 Vcc, 10 dB, 125 Watt, 744A-01.
Modelo: MRF392
Marca: EPCOM
Caracter?sticas Principales
- Transistor de silicio NPN de alta frecuencia
- Rango de frecuencias: 30-500 MHz
- Tensi?n de colector-emisor hasta 28 Vcc
- Ganancia de 10 dB para amplificaci?n eficaz
- Potencia m?xima de salida: 125 Watt
M?ximos Permisibles
- VCEO: 30 Vdc
- VCBO: 60 Vdc
- VEBO: 4.0 Vdc
- IC: 16 Adc
- PD: 270 Watts (a TC = 25?C)
- Derate: 1.54 W/?C
- Tstg: -65 a +150 ?C
- TJ: 200 ?C
Caracter?sticas T?rmicas
- R?JC: 0.65 ?C/W
Caracter?sticas El?ctricas
- hFE: 40-100 (a IC = 1.0 Adc)
- Cob: 75-95 pF
Caracter?sticas de Operaci?n
- Ganancia: 8-10 dB
- Eficiencia: 50-55%
- VSWR: 30:1 sin degradaci?n
- Impedancia: 20 ?
Configuraci?n
- Dos transistores en un solo encapsulado
- Configuraci?n push-pull
- Emisores comunes
- Redes de adaptaci?n de impedancia integradas
- Metabolizaci?n de oro para alta confiabilidad
Frecuencias de Operaci?n
- Frecuencia de prueba: 400 MHz
- Rango de frecuencia: 30-500 MHz
- Reducci?n de potencia: 10 W a 14 W
- Tensi?n de prueba: 28 Vdc
Aplicaciones
- Amplificadores de se?al RF
- Sistemas de comunicaci?n de banda ancha
- Equipos de prueba y medici?n RF
- Sistemas de radiodifusi?n
- Amplificadores lineales de alta potencia
